久久久久久伊人高潮影院,被灌满精子的波多野结衣,欧美一区二区日韩国产,成年女人毛片免费视频

網(wǎng)站首頁(yè) ＞ 產(chǎn)品展示 ＞ ＞ ＞ HF-300日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命
產(chǎn)品中心

Product center

相關(guān)文章
日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命

日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命

產(chǎn)品型號： HF-300

所屬分類(lèi)：

產(chǎn)品時(shí)間：2025-05-03

簡(jiǎn)要描述：日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命
非接觸/無(wú)損壽命測量
與單晶和多晶硅樣品兼容
支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
包含激情膠囊（用于威化餅）

詳細說(shuō)明：

日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 非接觸/無(wú)損壽命測量
  • 與單晶和多晶硅樣品兼容
  • 支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
  • 包含激情膠囊（用于威化餅）

測量規格

測量目標

單晶/多晶硅晶片，磚（散裝）

測量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210（寬）x 210（高）x 500（深）mm

測量范圍

0.1μS至1,000μS
（要測量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm）

<測量激光單元>類(lèi)型：半導體激光二極管，
波長(cháng)：905 nm（對于晶片）/ 1,000 nm（對于磚），峰值功率：60 W，脈沖寬度：80 nS

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 非接觸/無(wú)損壽命測量
  • 與單晶和多晶硅樣品兼容
  • 支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
  • 包含激情膠囊（用于威化餅）

測量規格

測量目標

單晶/多晶硅晶片，磚（散裝）

測量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210（寬）x 210（高）x 500（深）mm

測量范圍

0.1μS至1,000μS
（要測量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm）

<測量激光單元>類(lèi)型：半導體激光二極管，
波長(cháng)：905 nm（對于晶片）/ 1,000 nm（對于磚），峰值功率：60 W，脈沖寬度：80 nS

 



留言框

  • 產(chǎn)品：

  • 您的單位：

  • 您的姓名：

  • 聯(lián)系電話(huà)：

  • 常用郵箱：

  • 省份：

  • 詳細地址：

  • 補充說(shuō)明：

  • 驗證碼：

    請輸入計算結果（填寫(xiě)阿拉伯數字），如：三加四=7