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日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測量?jì)x

日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測量?jì)x

產(chǎn)品型號: EC-80

所屬分類(lèi):

產(chǎn)品時(shí)間:2025-05-03

簡(jiǎn)要描述:日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測量?jì)xEC-80
緊湊且易于操作的手動(dòng)非接觸式(渦流法)電阻測量?jì)x

詳細說(shuō)明:

日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測量?jì)xEC-80

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 簡(jiǎn)單的測量?jì)x器,只需將樣品插入探針之間即可進(jìn)行測量
  • 在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤(pán)輕松設置測量條件
  • *由于探頭是固定的,因此在購買(mǎi)前可以從幾種探頭中選擇一種。

 

測量規格

測量目標

半導體/太陽(yáng)能電池相關(guān)材料(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線(xiàn)等)
導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)?

測量尺寸

?8英寸,或?156x156mm? 

日本napson手動(dòng)非接觸式渦流法電阻測量?jì)xEC-80

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍/厚度500um)
[抗頁(yè)電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍)

*有關(guān)每種探頭類(lèi)型的測量范圍,請參閱以下內容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)



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