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突破性照度水平
YP-250I提供超過(guò)400,000 Lux的亮度,顯著(zhù)提升晶片表面微小缺陷(如劃痕、顆粒、裂紋、拋光不均等)的對比度,即使是0.2 μm級別的微觀(guān)缺陷也能清晰顯現。這種高亮度支持光學(xué)顯微鏡和自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)系統快速捕捉細節,減少漏檢風(fēng)險。
冷光源與熱管理技術(shù)
冷鏡技術(shù):通過(guò)濾除90%以上的紅外輻射,將熱效應對晶片的影響降至傳統鋁鏡的1/3,避免因熱變形導致檢測誤差。
強制排氣冷卻系統:采用螺旋式風(fēng)扇或管道通風(fēng)設計,確保長(cháng)時(shí)間運行時(shí)照度波動(dòng)低于2%,保障檢測穩定性。
多模式切換與光束調節
兩級照度模式:通過(guò)按鈕快速切換高/低亮度觀(guān)察模式,適應宏觀(guān)整體掃描(如晶片表面均勻性評估)和微觀(guān)結構分析(如光刻膠涂布細節)。
光束直徑可調:30-50 mm范圍內靈活調整光束直徑,適配不同尺寸晶片或局部重點(diǎn)檢測需求。
兼容性與光源多樣性
支持黃光和白光兩種光源,優(yōu)化對不同材料(如硅片、砷化鎵、碳化硅)的反光特性適應能力。
可搭配顯微鏡、AOI設備、工業(yè)相機等多種檢測工具,覆蓋晶圓制造全流程(從CMP工藝到封裝前終檢)。
檢測環(huán)境一致性
光源色溫穩定在3400K,照度均勻性通過(guò)ISO認證,確保批次間檢測結果的可比性,減少因光照波動(dòng)引發(fā)的誤判。
自動(dòng)化產(chǎn)線(xiàn)適配性
專(zhuān)為8英寸晶片設計(YP-150I適配6英寸),覆蓋主流半導體制造規格,φ60 mm的照度范圍滿(mǎn)足大尺寸晶片高速掃描需求。
支持高速AOI系統,縮短單次檢測停留時(shí)間,提升產(chǎn)線(xiàn)效率30%-50%。
缺陷攔截前移:在晶圓制造早期階段(如光刻、拋光)精準識別缺陷,降低后期封裝環(huán)節的廢品率,半導體行業(yè)應用可減少30%以上返工成本。
數字化升級支持:為AI視覺(jué)檢測算法提供高信噪比圖像,提升算法訓練效率和識別準確率。
總結:YP-250I通過(guò)“極限亮度+精準熱控制+多場(chǎng)景適配"的技術(shù)組合,成為半導體晶片檢測的核心工具,尤其在高精度、高風(fēng)險的先進(jìn)制程中具備不可替代性。其設計兼顧效率與穩定性,為半導體制造良率提升和成本控制提供了可靠保障。