SiC晶片中的位錯如何做無(wú)損無(wú)接觸檢測
SiC作為代表性的第三代半導體材料,具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能。隨著(zhù)材料及應用的發(fā)展,SiC襯底在航天電源、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)電機等領(lǐng)域的應用日益重要。相比第一代半導體材料如Si和第二代半導體材料如GaAs而言,SiC襯底質(zhì)量還有很大的改善空間,是現階段研發(fā)和產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)。其中SiC單晶缺陷,特別是一維位錯缺陷的檢測和降低,是近10年內重要的研究?jì)热?/span>
位錯是晶體內部的微觀(guān)缺陷,是原子局部的不規則排列造成的,發(fā)生在晶體已滑移部分和未滑移部分的 分界線(xiàn)處[35-37] 。在 SiC 單晶中,常見(jiàn)的位錯有 TEDs、TSDs、BPDs [38] 。圖 1 是 SiC 中 TSD 的示意圖[39] ,TSDs 的位錯線(xiàn)沿 < 0001 > 方向,它的 Burgers 矢量為 1c,如表 3 所示, 4H-SiC(0001)中螺旋臺階高度是四個(gè) Si-C 雙層,對應于 1c [39] 。TSDs 通常沿著(zhù) < 0001 > 方向傳播,但也會(huì ) 向基面彎曲(有時(shí)又向 < 0001 > 方向彎曲) [40] ,由于 Burgers 矢量(1c 或 2c)必須守恒,當它們彎曲并位于基 面時(shí),就形成了 Frank 型堆垛層錯。大多數 TSDs 具有 1c + a 的 Burgers 矢量,說(shuō)明大多數的 TSDs 是混合位 錯。有多種因素會(huì )造成 TSDs,如多型夾雜物、碳夾雜物和 Si 滴夾雜物[41-42] ,籽晶和生長(cháng)的晶體之間的氮濃度差引起的晶格失配[43] ,籽晶中的 TSDs [44] ,熱彈性應變松弛[45]等。
CS-1 晶片內位錯檢測儀
"Crystalline Tester CS1"是非破壞性、非接觸式檢測可見(jiàn)光（波長(cháng)400～800nm）透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測設備。通過(guò)本設備可以實(shí)現快速、準確地把握目檢下無(wú)法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。
產(chǎn)品特征
產(chǎn)品特長(cháng) | 高速測量（6" 襯底 90秒）
?可以最快速度簡(jiǎn)捷方式觀(guān)察殘留應力分布。
縱向結晶評價(jià)
?因為是透視型結晶評價(jià)裝置，所以不只可以觀(guān)察襯底表面，還可以觀(guān)察包括Z軸方向的晶圓所有部位。 可取得與X-Ray Topography imaging comparison同等測試效果
?可以取得同等測試效果，實(shí)現高速低成本。
價(jià)格競爭力
?在晶片測量裝置中，屬于性?xún)r(jià)比好的一款系統。
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可測量材料 | SiC單晶襯底、及SiC外延襯底 GaN單晶襯底、及GaN外延襯底 AlN單晶襯底、及AlN外延襯底 可視光可透視、有雙折射效果的結晶均可。
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測試效果不佳材料 | ?無(wú)可視光透視性材料：Si、GaAs等
?無(wú)雙折射效果材料：藍寶石、Ga2O3 等 |
